英國Raptor Photonics公司的Eagle XO法蘭安裝型高速X射線相機(jī)采用CF152(6”)法蘭設(shè)計(jì)，可以與真空室直接連接。相機(jī)采用Teledyne e2v公司的背照式CCD芯片，可實(shí)現(xiàn)對真空紫外VUV、軟X射線的直接探測，探測能量范圍覆蓋12eV到20keV。提供不同分辨率相機(jī)可選，方便用戶選擇在特殊環(huán)境下進(jìn)行科研和系統(tǒng)的集成
主要特性
CF152(6”)法蘭設(shè)計(jì)，可直接與真空室連接
來自Teledyne e2v的背照式CCD芯片
可直接探測能量范圍12eV-20keV
制冷溫度-80℃，暗電流<0.0005e - /p/s
讀出噪聲<2.3e -
Camera Link接口，易于系統(tǒng)集成和開發(fā)
典型應(yīng)用
?x射線成像 ?x射線顯微鏡 ?薄膜和納米纖維 ?x射線等離子體診斷 ?全息和光刻
>>X-ray衍射（XRD）
X射線成像及熒光成像(XRF)、X射線衍射成像(XRD)、X射線顯微鏡、共振非彈性X射線散射(RIXS)、VUV/EUV/XUV光譜、薄膜及納米纖維、材料組成及結(jié)構(gòu)、X射線等離子體診斷、全息照相及光刻
>>EUV紫外光刻半導(dǎo)體工業(yè)使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已達(dá)到光刻技術(shù)的界限。認(rèn)識到這 一限制，該行業(yè)在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術(shù)，以生 產(chǎn)小于100nm的特性。半導(dǎo)體工業(yè)研究的下一代光刻技術(shù)包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術(shù)也有其挑戰(zhàn)，但它經(jīng)常被使用，因?yàn)樗Ａ袅松鲜龉饪碳夹g(shù) （波長13.5nm）的外觀和感覺，以及使用了相同的基本設(shè)計(jì)工具。 因此，直接探測X-ray相機(jī)為光刻系統(tǒng)工作中提供了好的診斷 和監(jiān)控手段。
>>XUV、軟X射線及EUV光譜
美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀，采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機(jī)，可以輕松實(shí)現(xiàn)XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。
Eagle XO – Open Front X-Ray
Open Front High Energy CCDs with a range of custom options
Introducing a high energy direct X-Ray Open Front version one of the most sensitive CCD cameras in the World. The Eagle XO is available in a range of options including sensor resolution, sensor type, cooling and flange options. This freedom of choice offers cameras to meet your exact needs.
The EAGLE XO camera features:
· Open front end – CF152 (6”) flange for direct interfacing to vacuum chambers
· Deep cooled using Thermoelectric cooler (TEC) – Minimize dark current and enable long exposure
· Choice of resolutions and pixel sizes – Optimizes sensitivity and large field of view imaging
· Choice of sensor types – Enables ultra sharp image resolution and high dynamic range
產(chǎn)品參數(shù)：
型號 | EA4240XO-BN-CL |
芯片類型 | CCD |
有效像素 | 2048 x 2048 |
像素尺寸 | 13.5μm × 13.5μm |
有效面積 | 27.6mm × 27.6mm |
像元合并 | Programmable, up to 64×64 pixels |
滿阱 | >80ke- (100Ke- typical) |
移位寄存器阱深 | 150ke- |
非線性 | 小于百分之一 |
讀出噪聲（RMS） | <3.5e- @ 75kHz (2.3e-typical) <12e- @ 2MHz (9.0e-typical) |
binned讀出噪聲 | 16×16 binning: < 5.0e- @75kHz pixel readout rate |
峰值量子效率 | > 90 |
光譜響應(yīng)范圍 | 12eV to 20keV |
制冷方式 | -80°C with 10°C coolant / -70°C air cooled with 25°C ambient |
法蘭 | CF152 (6”) |
同步方式 | Trigger IN and OUT - TTL compatible |
數(shù)據(jù)輸出格式 | 16 bit base Camera Link |
供電方式 | 12V DC ±0.1 |
總功耗 | <67W (TEC ON, Steady State) |
工作溫度 | -20°C to +55°C |
存儲溫度 | -40°C to +70°C |
外形尺寸 | 155.08mm x 140.89mm x 110.00mm |
重量 | 3.5kg |
典型應(yīng)用
?x射線成像 ?x射線顯微鏡 ?薄膜和納米纖維 ?x射線等離子體診斷 ?全息和光刻
>>X-ray衍射（XRD）
X-ray衍射是一種研究物質(zhì)特性的技術(shù)，如大分子、晶體、粉末、 聚合物和纖維。 當(dāng)X-ray穿過物質(zhì)時(shí)，它們與原子中的電子相互作用，并分散開 來。如果原子是在平面上組織的（即物質(zhì)是結(jié)晶的），并且原子之間 的距離與X-ray的波長大小相同，則會發(fā)生構(gòu)造性和破壞性的干涉， 并形成衍射圖案。根據(jù)所研究物質(zhì)的種類，可以使用單色X-ray、粉 紅束（窄帶）X-ray或白束（寬帶）X-ray。
>>EUV紫外光刻
半導(dǎo)體工業(yè)使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已達(dá)到光刻技術(shù)的界限。認(rèn)識到這 一限制，該行業(yè)在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術(shù)，以生 產(chǎn)小于100nm的特性。半導(dǎo)體工業(yè)研究的下一代光刻技術(shù)包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術(shù)也有其挑戰(zhàn)，但它經(jīng)常被使用，因?yàn)樗Ａ袅松鲜龉饪碳夹g(shù) （波長13.5nm）的外觀和感覺，以及使用了相同的基本設(shè)計(jì)工具。 因此，直接探測X-ray相機(jī)為光刻系統(tǒng)工作中提供了好的診斷 和監(jiān)控手段。
>>XUV、軟X射線及EUV光譜
美國McPherson Instruments公司的251MX平場光譜儀，采用新的120g/mm光柵和EA4710XO-BN相機(jī)，可以輕松實(shí)現(xiàn)XUV、軟X射線及EUV光譜的測量。
Typical Uses:
· X-ray imaging
· X-ray microscopy
· Thin films and nanofibers
· X-ray plasma diagnostics
· Holography and lithography
